型号: 2SJ646
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：43mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12.9A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 43mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.7W
类型: P沟道
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