型号: 2SJ653
功能描述: General-Purpose Switching Device Applications
制造商: SANYO [Sanyo Semicon Device]
典型关断延迟时间: 495 ns
典型接通延迟时间: 53 ns
典型栅极电荷@Vgs: 120 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 6500 pF V @ 20
安装类型: 通孔
宽度: 4.5mm
封装类型: TO-220ML
尺寸: 10 x 4.5 x 8.8mm
引脚数目: 3
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 2000 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 0.025
最大连续漏极电流: 37 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: P
配置: 单
长度: 10mm
高度: 8.8mm
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