型号: 2SJ668(TE16L,NQ)
功能描述: Toshiba Si P沟道 MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold封装
制造商: Toshiba
通道类型: P
最大连续漏极电流: 5 A
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 170 m0hms
最大栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: PW Mold
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 20000 mW
典型输入电容值@Vds: 700 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
每片芯片元件数目: 1
最低工作温度: -55 °C
宽度: 5.5mm
长度: 6.5mm
高度: 2.3mm
尺寸: 6.5 x 5.5 x 2.3mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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