型号: 2SJ690-T1B-AT
功能描述: MOSFET P-CH 30V TSMT
制造商: Renesas Electronics America
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 119 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 5.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 450pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 200mW(Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-96-3,薄型迷你型塑模
封装/外壳: SC-96
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