型号: 2SK1120(F)
功能描述: 2SK1120(F), N-channel MOSFET Transistor 8A 1000V, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
制造商: Toshiba
类别： Power MOSFET
通道模式： Enhancement
渠道类型： N
配置： Single
外形尺寸： 15.9 x 4.8 x 19mm
身高： 19mm
长度： 15.9mm
最大连续漏极电流： 8 A
最大漏源电阻： 1.8 Ω
最大漏源电压： 1000 V
最大门源电压： ±20 V
最高工作温度： +150 °C
最大功率耗散： 150 W
最低工作温度： -55 °C
安装类型： Through Hole
每个芯片的元件数： 1
包装类型： TO-3P W, TO-3PN
引脚数： 3
典型栅极电荷@ VGS： 120 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS： 1300 pF V @ 25
宽度： 4.8mm
associated： IXFH12N100
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