型号: 2SK1152L-E
功能描述: Trans MOSFET N-CH 500V 1.5A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1) Box
制造商: renesas electronics
包装： 3DPAK(L)-(1)
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 500 V
最大连续漏极电流： 1.5 A
RDS -于： 6000@10V mOhm
最大门源电压： ±30 V
典型导通延迟时间： 5 ns
典型上升时间： 10 ns
典型关闭延迟时间： 20 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Through Hole
标准包装： Rail / Tube
连续漏极电流： 1.5 A
栅源电压（最大值）： �30 V
功率耗散： 20 W
漏源导通电阻： 6 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
封装： Box
引脚数： 3 +Tab
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 500 V
弧度硬化： No
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