型号: 2SK1317E
功能描述: None
制造商: Renesas Technology
连续漏极电流： 2.5 A
栅源电压（最大值）： �20 V
功率耗散： 100 W
安装： Through Hole
漏源导通电阻： 12 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： TO-3P
引脚数： 3 +Tab
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
通道模式： Enhancement
漏源导通电压： 1500 V
弧度硬化： No
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