型号: 2SK1317E
功能描述: None
制造商: Renesas Technology
连续漏极电流: 2.5 A
栅源电压(最大值): �20 V
功率耗散: 100 W
安装: Through Hole
漏源导通电阻: 12 ohm
工作温度范围: -55C to 150C
包装类型: TO-3P
引脚数: 3 +Tab
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
通道模式: Enhancement
漏源导通电压: 1500 V
弧度硬化: No
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