型号: 2SK1381(F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 50A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 32 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 88nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3700pF @ 10V
功率 - 最大值： 150W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P（N）
联系人：李先生
电话：18822854608
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联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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