型号:  2SK1489(Q)

功能描述:   MOSFET MOSFET N-Ch 1000V 12A Rdson 1 Ohm

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  25

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  1000V (1kV)

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  12A

Rds（最大）@ ID，VGS：  1 Ohm @ 6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  110nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2000pF @ 25V

功率 - 最大：  200W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-3PL

供应商器件封装：  TO-3P(L)

包装材料 ：  Bulk

类别：  Power MOSFET

通道模式：  Enhancement

渠道类型：  N

配置：  Single

外形尺寸：  20.5 x 5.2 x 26mm

身高：  26mm

长度：  20.5mm

最大连续漏极电流：  12 A

最大漏源电阻：  1 Ω

最大漏源电压：  1000 V

最大门源电压：  ±30 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  200 W

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Through Hole

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  TO-3PL

引脚数：  3

典型栅极电荷@ VGS：  110 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  2000 pF V @ 25

宽度：  5.2mm