型号: 2SK1623
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 40A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 30mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.75W
类型: N沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：任工
电话：15066548073
Q Q:
联系人：欧高杰
电话：18126237953
Q Q:
联系人：可乔
电话：18565707557
Q Q:
