型号: 2SK1829(TE85L,F)
功能描述: Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK1829(TE85L,F), 50 mA, Vds=20 V, 3引脚 USM封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 50 mA
最大漏源电压: 20 V
最大漏源电阻值: 40 0hms
最大栅阈值电压: 1.5V
最大栅源电压: -10 V、+10 V
封装类型: USM
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 小信号
最大功率耗散: 100 mW
宽度: 1.25mm
典型接通延迟时间: 1400 ns
典型关断延迟时间: 140 ns
典型输入电容值@Vds: 5.5 pF@ 3 V
晶体管材料: Si
系列: 2SK
每片芯片元件数目: 1
长度: 2mm
高度: 0.9mm
尺寸: 2 x 1.25 x 0.9mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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