型号: 2SK2009TE85LF
功能描述: MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-346-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 2.5 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
系列: 2SK2009
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: RF Small Signal MOSFET
宽度: 1.5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 0.12 us
典型接通延迟时间: 0.06 us
单位重量: 12 mg
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