型号: 2SK211-GR
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10mA 漏源电压（Vdss）：18V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
制造商: TOSHIBA(东芝)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 18V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10mA
栅源极阈值电压: -
漏源导通电阻: -
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW
类型: N沟道
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