型号:  2SK2145-BL(TE85L,F

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  2SK2145 -

标准包装：  3,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  JFET（结点场效应

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：  -

漏源极电压（Vdss）：  -

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：  6mA @ 10V

漏极电流（Id） - 最大值：  -

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：  200mV @ 100nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  13pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：  -

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-74A，SOT-753

供应商器件封装：  SMV

功率 - 最大值：  300mW

其它名称：  2SK2145-BL(TE85L,F)2SK2145-BL(TE85LF)TR2SK2145-BL(TE85LF)TR-ND2SK2145-BL(TE85LFTR2SK2145-BLTE85LF2SK2145BL(TE85LFTR2SK2145BL(TE85LFTR-ND