型号: 2SK2220-E
功能描述: Silicon N Channel MOS FET
制造商: RENESAS [Renesas Technology Corp]
晶体管极性: ?频道
电流, Id 连续: 8A
电压, Vds 最大: 180V
在电阻RDS（上）: 1.5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.45V
功耗, Pd: 100W
工作温度范围: -55°C 到 +150°C
封装类型: TO-3P
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
功率, Pd: 100W
功耗: 100W
封装类型: TO-3P
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 8A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 180V
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 8A
表面安装器件: 通孔安装
针脚格式: 1 g
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