型号:  2SK2314(F)

功能描述:   MOSFET N-Ch 100V 27A Rdson 0.085 Ohm

制造商:  Toshiba

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  27A

Rds（最大）@ ID，VGS：  85 mOhm @ 15A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  50nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1100pF @ 10V

功率 - 最大：  75W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220AB

包装材料 ：  Tube;;其他的名称；

类别：  Power MOSFET

通道模式：  Enhancement

渠道类型：  N

配置：  Single

外形尺寸：  10.3 x 9.1 x 4.7mm

身高：  4.7mm

长度：  10.3mm

最大连续漏极电流：  27 A

最大漏源电阻：  0.085 Ω

最大漏源电压：  100 V

最大门源电压：  ±20 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  75 W

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Through Hole

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  TO-220FL

引脚数：  3

典型栅极电荷@ VGS：  50 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  1100 pF V @ 10

宽度：  9.1mm

连续漏极电流：  27 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  75 W

安装：  Through Hole

漏源导通电阻：  0.085 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  100 V

弧度硬化：  No