型号: 2SK2399(TE16L1,NQ)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 2,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 230 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 500pF @ 10V
功率 - 最大值: 20W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: PW-MOLD
联系人:赵军
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联系人:刘子书
联系人:麦逸芬
电话:13430483190
联系人:曾舒媚
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联系人:刘经理
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