型号: 2SK2615(TE12L,F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 150pF @ 10V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-243AA
供应商器件封装： PW-MINI
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：朱小姐
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Q Q:
联系人：朱小姐
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Q Q:
