型号: 2SK2662T
功能描述: MOSFET 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 5 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-62-3
封装: Reel
商标: Toshiba
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 12 ns
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：方
电话：13717131744
Q Q:
联系人：苏
电话：13428728889
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18718681541
Q Q:
