型号: 2SK2699(F,T)
功能描述: Transistors Bipolar - BJT N-Ch FET RDS 0.5 Ohm IDSS 100uA VDS 600V
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 50
FET 型 ： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点： Standard
漏极至源极电压（VDSS）： 600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 12A
Rds（最大）@ ID，VGS： 650 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id： 4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 58nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 2600pF @ 10V
功率 - 最大： 150W
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P(N)
包装材料 ： Tube
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