型号:  2SK2730-E

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 500V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Box

制造商:  Renesas Electronics

最大门源电压：  ±30

安装：  Through Hole

包装宽度：  4.8

PCB：  3

最大功率耗散：  175000

最大漏源电压：  500

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  240@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TO-3P

标准包装名称：  TO-3P

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  15.6

引脚数：  3

通道模式：  Enhancement

包装高度：  18.9

最大连续漏极电流：  25

封装：  Box

标签：  Tab

漏极电流（最大值）：  25 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �30 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  175 W

噪声系数：  Not Required dB

漏源导通电阻：  0.24 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-3P

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  500 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  25 A