型号: 2SK2777(TE24L)
功能描述: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SM
制造商: Toshiba
标准包装： 1,000
FET 型 ： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 6A
Rds（最大）@ ID，VGS： 1.25 Ohm @ 3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id： 4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 30nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 1300pF @ 10V
功率 - 最大： 65W
安装类型 ： Surface Mount
包/盒 ： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装： TO-220SM
包装材料 ： Tape & Reel (TR)
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