型号: 2SK2792
功能描述: MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Pd-功率耗散: 30 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Bulk
商标: ROHM Semiconductor
通道模式: Depletion
配置: Single
下降时间: 34 ns
上升时间: 15 ns
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：陈R
Q Q:
联系人：蔡
电话：13418788777
Q Q:
联系人：邓磊
电话：18826952105
Q Q:
