型号: 2SK2866(F)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 45nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2040pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：王磊
电话：19946274421
Q Q:
联系人：吴玉华
电话：13027952691
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：13691886679
Q Q:
