型号:  2SK2968(F,T)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN T/R

制造商:  toshiba

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  10A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  900V

FET Feature：  Standard

FET Type：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  70nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  2150pF @ 25V

Mounting Type：  Through Hole

Package / Case：  TO-3P-3, SC-65-3

Power - Max：  150W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  1.25 Ohm @ 4A, 10V

Supplier Device Package：  TO-3P(N)

Vgs(th) (Max) @ Id：  4V @ 1mA

包装：  3TO-3PN

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  900 V

最大连续漏极电流：  10 A

RDS -于：  1250@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  25 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

标准包装：  Rail / Tube

类别：  Power MOSFET

渠道类型：  N

配置：  Single

外形尺寸：  15.9 x 4.8 x 19mm

身高：  19mm

长度：  15.9mm

最大漏源电阻：  1.25 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  150 W

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Through Hole

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  TO-3PN

引脚数：  3

典型栅极电荷@ VGS：  70 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  2150 pF V @ 25

宽度：  4.8mm

RoHS指令：  Compliant