型号: 2SK3019
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
制造商: CJ（江苏长电/长晶）
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100mA
栅源极阈值电压: 1.5V @ 100uA
漏源导通电阻: 8Ω @ 10mA,4V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW
类型: N沟道
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