型号: 2SK3074(TE12L,F)
功能描述: Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3074(TE12L,F), 1 A, Vds=30 V, 3引脚 PW Mini封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 1 A
最大漏源电压: 30 V
最大栅阈值电压: 2.4V
最大栅源电压: +25 V
封装类型: PW Mini
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 射频 MOSFET
最大功率耗散: 3 W
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 4.6 x 2.5 x 1.6mm
最高工作温度: +150 °C
系列: 2SK
晶体管材料: Si
典型功率增益: 14.9 dB
高度: 1.6mm
长度: 4.6mm
宽度: 2.5mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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