型号: 2SK3079ATE12LQ
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 3 A
Vds-漏源极击穿电压: 10 V
增益: 13.5 dB
输出功率: 2.2 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PW-X-4
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 470 MHz
系列: 2SK3079
类型: RF Power MOSFET
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 20 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 3 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.8 V
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李明
电话：13931038256
Q Q:
联系人：骆先生
电话：13632770090
Q Q:
联系人：林先生
电话：15914002319
Q Q:
