型号: 2SK3079ATE12LQ
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 3 A
Vds-漏源极击穿电压: 10 V
增益: 13.5 dB
输出功率: 2.2 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PW-X-4
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 470 MHz
系列: 2SK3079
类型: RF Power MOSFET
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 20 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 3 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.8 V
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