型号: 2SK3113B-ZK-E1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
制造商: renesas electronics
包装: 3TO-252
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 600 V
最大连续漏极电流: 2 A
RDS -于: 4400@10V mOhm
最大门源电压: ±30 V
典型导通延迟时间: 10.5 ns
典型上升时间: 4.8 ns
典型关闭延迟时间: 15.8 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
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