型号: 2SK3117
功能描述: iv
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 20 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-2 SM
商标: Toshiba
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 50 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 50
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