型号:  2SK3301(Q)

功能描述:   MOSFET MOSFET N-Ch 900V 1A Rdson=20Ohm

制造商:  Toshiba

标准包装：  200

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  900V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  1A

Rds（最大）@ ID，VGS：  20 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3.4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  6nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  165pF @ 25V

功率 - 最大：  20W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  PW-MOLD

包装材料 ：  Tube

最大门源电压：  ±30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

最大漏源电阻：  20000@10V

最大漏源电压：  900

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  PW-Mold

最大功率耗散：  20000

最大连续漏极电流：  1

引脚数：  3