型号: 2SK3320-GR(TE85L,F
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： 2SK3320 -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： -
漏源极电压（Vdss）： -
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 2.6mA @ 10V
漏极电流（Id） - 最大值： -
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 200mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 13pF @ 10V
电阻 - RDS（开）： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
供应商器件封装： USV
功率 - 最大值： 200mW
其它名称： 2SK3320-GR(TE85LFTR
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：李先生
电话：13554802629
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：周先生
电话：15989859740
Q Q:
联系人：李新宇
Q Q:
