型号: 2SK3320-GR(TE85L,F
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表: 2SK3320 -
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: JFET(结点场效应
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS): -
漏源极电压(Vdss): -
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss): 2.6mA @ 10V
漏极电流(Id) - 最大值: -
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关): 200mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 13pF @ 10V
电阻 - RDS(开): -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装: USV
功率 - 最大值: 200mW
其它名称: 2SK3320-GR(TE85LFTR
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