型号: 2SK3399(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 750 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1750pF @ 25V
功率 - 最大值： 100W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3（SMT）标片
供应商器件封装： TO-220FL
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
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电话：19854773352
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联系人：余先生，张先生
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联系人：谢先生
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联系人：陈之平
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联系人：肖宏杰
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Q Q:
