型号: 2SK3475TE12LF
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
增益: 14.9 dB
输出功率: 630 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PW-Mini-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 520 MHz
系列: 2SK3475
类型: RF Power MOSFET
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 3 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
联系人：王静
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联系人：余先生，张先生
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