型号:  2SK3562(Q)

功能描述:   MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  600V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  1.25 Ohm @ 3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  28nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1050pF @ 25V

功率 - 最大：  40W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装：  TO-220SIS

包装材料 ：  Tube

连续漏极电流：  6 A

栅源电压（最大值）：  �30 V

功率耗散：  40 W

安装：  Through Hole

漏源导通电阻：  1.25 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-220(NIS)

引脚数：  3 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏源导通电压：  600 V

弧度硬化：  No