型号: 2SK3567
功能描述: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
晶体管极性: ?频道
电流, Id 连续: 3.5A
电压, Vds 最大: 600V
在电阻RDS（上）: 2.2ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 35W
封装类型: TO-220SIS
针脚数: 3
功率, Pd: 35W
功耗: 35W
封装类型: TO-220SIS
漏极电流, Id 最大值: 3.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 600V
电压, Vgs 最高: 30V
电流, Idm 脉冲: 14A
表面安装器件: 通孔安装
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：龙先生
电话：18664391970
Q Q:
联系人：许先生
电话：13376238060
Q Q:
联系人：苏明水
电话：13809710366
Q Q:
