型号: 2SK3567
功能描述: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
晶体管极性: ?频道
电流, Id 连续: 3.5A
电压, Vds 最大: 600V
在电阻RDS（上）: 2.2ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 35W
封装类型: TO-220SIS
针脚数: 3
功率, Pd: 35W
功耗: 35W
封装类型: TO-220SIS
漏极电流, Id 最大值: 3.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 600V
电压, Vgs 最高: 30V
电流, Idm 脉冲: 14A
表面安装器件: 通孔安装
联系人：杨丹妮
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联系人：肖瑶，树平
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