型号: 2SK3669(TE16L1,NQ)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 2,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 125 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 480pF @ 10V
功率 - 最大值: 20W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: PW-MOLD
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