型号: 2SK3681-01
功能描述: N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
制造商: FUJI
晶体管极性: ?频道
电流, Id ??续: 43A
电压, Vds 最大: 600V
在电阻RDS(上): 160mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 5V
功耗, Pd: 600W
封装类型: TO-247
针脚数: 3
功率, Pd: 600W
功耗: 600W
单脉冲雪崩能量 Eas: 808.9mJ
封装类型: TO-247
封装类型, 替代: SOT-249
引脚节距: 5.45mm
总功率, Ptot: 600W
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 43A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 600V
电压, Vgs 最高: 30V
电流, Idm 脉冲: 172A
结温, Tj 最高: 150°C
表面???装器件: 通孔安装
重复雪崩电流, Iar: 21.5A
阈值电压, Vgs th 最低: 3V
阈值电压, Vgs th 最高: 5V
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