型号:  2SK3703-1E

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）:  30A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:  4V，10V

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  40nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:  1780pF @ 20V

Vgs（最大值）:  ±20V

功率耗散（最大值）:  2W（Ta），25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）:  26 毫欧 @ 15A，10V

工作温度:  150°C（TJ）

安装类型:  通孔

封装/外壳:  TO-220-3 整包

封装形式Package:  TO-220F

极性Polarity:  N-CH

漏源极击穿电压VDSS:  60V

连续漏极电流ID:  30A

RoHS:  符合 RoHS

25 W:  Pd - 功率消耗

安装风格:  Through Hole

封装/外壳:  SC-67-3

系列:  2SK3703

品牌:  ON Semiconductor

互导 - 最小值:  13 S

下降时间:  144 ns

最低工作温度:  - 55 C

上升时间:  110 ns

标准包装数量:  50

晶体管极性:  N-Channel

标准断开延迟时间:  166 ns

Vds - 漏-源击穿电压:  60 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压:  20 V

Id - C连续漏极电流:  30 A

Rds On - 漏-源电阻:  20 m0hms

配置:  Single

40 nC:  Qg - 闸极充电

最高工作温度:  + 150 C

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs