型号: 2SK3746-1E
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 37.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 380pF @ 30V
Vgs（最大值）: ±20V
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），110W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13 欧姆 @ 1A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
封装形式Package: TO-3P
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 1500V
连续漏极电流ID: 2A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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