型号: 2SK3756(TE12L,F)
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 7.5 V
增益: 12 dB
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PW-Mini-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 470 MHz
系列: 2SK3756
类型: RF Power MOSFET
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 3 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 3 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.95 V
单位重量: 50 mg
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林生
电话：13430931308
Q Q:
联系人：孙成宇
电话：18643806475
Q Q:
联系人：党先生
电话：13807139923
Q Q:
