型号: 2SK3767(Q,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 管件
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4.5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 320pF @ 10V
功率 - 最大值: 25W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220SIS
其它名称: 2SK3767(Q)2SK3767Q
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:小冯
电话:18964592030
联系人:吴先生
电话:13975536999
联系人:张先生
电话:17602007745
联系人:陈先生
电话:13823793399
Q Q:
联系人:小林
电话:15766460736
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:Sam
联系人:朱浩鸿
电话:17318011752
联系人:杨耀庚
电话:13265624065