型号:  2SK3799(Q,M)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

制造商:  toshiba

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  900V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  8A

Rds（最大）@ ID，VGS：  1.3 Ohm @ 4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  60nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2200pF @ 25V

功率 - 最大：  50W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装：  TO-220SIS

包装材料 ：  Bulk;;其他的名称；

包装：  3TO-220NIS

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  900 V

最大连续漏极电流：  8 A

RDS -于：  1300@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  25 ns

典型下降时间：  20 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

FET特点：  Standard

封装：  Bulk

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  8A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 1mA

封装/外壳：  TO-220-3 Full Pack

供应商设备封装：  TO-220SIS

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  1.3 Ohm @ 4A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  50W

漏极至源极电压（Vdss）：  900V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  2200pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  60nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant