型号: 2SK3879(TE24L,Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.7 欧姆 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1500pF @ 25V
功率 - 最大值： 80W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： TO-220SM
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
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联系人：张
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联系人：谢先生
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Q Q:
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