型号: 2SK3907(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 23A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 230 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4250pF @ 25V
功率 - 最大值： 150W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P（N）
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：蔡耿洲
电话：13823303203
Q Q:
联系人：柯先生
Q Q:
