型号:  2SK4014(Q)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  900V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  2 Ohm @ 3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  45nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1400pF @ 25V

功率 - 最大：  45W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装：  TO-220SIS

包装材料 ：  Bulk

包装：  3TO-220SIS

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  900 V

最大连续漏极电流：  6 A

RDS -于：  2000@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  25 ns

典型下降时间：  60 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

类别：  Power MOSFET

渠道类型：  N

配置：  Single

外形尺寸：  10 x 4.5 x 8.1mm

身高：  8.1mm

长度：  10mm

最大漏源电阻：  2 Ω

最高工作温度：  +150°C

最大功率耗散：  45,000 mW

最低工作温度：  -55°C

安装类型：  Through Hole

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  TO-220SIS

引脚数：  3

典型栅极电荷@ VGS：  45 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  1400 pF V @ 25

宽度：  4.5mm

RoHS指令：  Compliant

连续漏极电流：  6 A

栅源电压（最大值）：  �30 V

功率耗散：  45 W

漏源导通电阻：  2 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  900 V

弧度硬化：  No

删除：  Compliant