型号: 2SK4066-DL-1EX
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Ta）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 220nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 12500pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 20V
功率耗散（最大值）: 1.65W（Ta），90W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4.7 毫欧 @ 50A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: TO-263-2
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：许记龙
电话：13424422269
Q Q:
联系人：辜文追
电话：15627446550
Q Q:
联系人：李生
电话：13922231491
Q Q:
