型号: 2SK4101LS
功能描述: N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
制造商: SANYO [Sanyo Semicon Device]
典型关断延迟时间: 89 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
典型栅极电荷@Vgs: 28.5 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 750 pF V @ 30
安装类型: 通孔
宽度: 4.5mm
封装类型: TO-220FI
尺寸: 10 x 4.5 x 8.8mm
引脚数目: 3
最大功率耗散: 2000 mW
最大栅源电压: ±30 V
最大漏源电压: 650 V
最大漏源电阻值: 1.1
最大连续漏极电流: 7 A
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 10mm
高度: 8.8mm
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Q Q:
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