型号: 2SK4151TZ-E
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 3.5nC @ 4V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 98pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 750mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.95 欧姆 @ 500mA，4V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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