型号: 2SK4210
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 75nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1500pF @ 30V
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），190W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.3 欧姆 @ 5A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3PB
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
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Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
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Q Q:
